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       碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性,是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时,也是仅次于钻石的最优良的半导体材料。

 

优异特性

       碳化硅外延晶片用于制备碳化硅功率器件,被广泛应用于新能源 汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。

 

应用范围

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